1.TEBEG,TEEND的单位是K吗?
  答：是K为单位的。

  2.在运算中,直接COPY POSCAR文件到工作目录就可以吗,用不用再POSCAR或INCAR文件中设定参数来控制POSCAR的赝势的选取方法?
  答：不大明白你的问题。在一个工作目录准备好INCAR,POSCAR,POTCAR，KPOINTS这四个文件。先看POTCAR中LEXCH后面的值是什么，如果是CA，那么INCAR中就不用设置GGA了；如果是91，那么就在 INCAR 中输入GGA=91；如果是PE，那么就设置GGA=PE。

  3.模拟表面,一般SLAB选多厚?
  答：自己多测试不同的厚度后，来确定slab 的厚度

  4.在KPOINT文件中,如果选取MONKHORST-pack的K点产生办法,K点相对自动网格移动时怎么回事?
  答：你可以看看monkhorst,pack1976年在phys. rev. b上的文献，他们在文献中给出了对于sc,bcc和fcc三种格子的一种效率很高的k点选取标准。但是这种k-mesh的选取方法并不是将第一个点取在倒空间的原点处，而是有一个shift，比如对于fcc而言，这个shift时（1/8，1/8， 1/8）。但是这种mp方法对于正交格子适用，而对于三方或者六方的格子则并不好。因此这时建议采用\gamma点为中心的k-mesh（vasp用户手册）

  
  5.想做表面重构,VASP 能做吗,能用分子动力学模拟吗,怎么设置参数?
  答：做重构的计算，一般用分子动力学的方式来模拟。你可以参考文献上模拟表面体系重构的作法。大多是采用比较几个表面模式的能量以及相关的热力学量。
  
  6.不指定电子的总SPIN,会有影响吗,一般 什么体系才考虑自旋?
  答：你做的体系是否包含3d-过渡金属离子(V至Ni)或其他含f电子的原子，如果没有的话，可以不考虑自旋极化的计算。
  
  7.表面的原子或分子的运动,扩散还有重构,IBRION怎么设定?
  答：是扩散的化，一般用NEB的方法计算其扩散路径或扩散势垒。

  8.如果知道一个化合物的组成,想计算它的总能一般应怎么办?同时如果一直组成如何在常温下计算它的稳定结构,比如FeMgCl2？
  答：计算总能，自己准备好vasp的输入文件，运算后就直接得到。可能考虑它的结合能比较好。

  9.在计算一个系统的稳定结构时，SMASS参数如何设置？
  答：看你是计算这个稳定结构的什么性质：计算总能和DOS，用ISMEAR=-5，不用管SMASS。

  10.具体给介绍一下STM图像的模拟办法，如何计算特定的能带，还有计算完成后一般去那个文件查找对自己有用的数据？
  答：一般来说用parchg做个图就可以了，当然以上方法仅限于T-H近似。